鋰離子電池中,由于使用電導(dǎo)率低的有機(jī)電解液,因而要求電極的面積大,而且電池裝配采用卷式結(jié)構(gòu),電池的性能的提高不僅對(duì)電極材料提出了新的要求,而且對(duì)電極制造過程中使用的粘接劑也提出了新的要求。 [詳情]
電子設(shè)備不可避免地在電磁環(huán)境(EME)中工作。因此,必須解決電子設(shè)備在電磁環(huán)境中的適應(yīng)能力。電磁兼容性(EMC)是一門關(guān)于抗電磁干擾(EMI)影響的科學(xué)。 [詳情]
TL431并聯(lián)穩(wěn)壓器或許是隔離式開關(guān)電源中最常見的IC,其可提供低成本的簡(jiǎn)單方式精確調(diào)節(jié)輸出電壓。 [詳情]
有機(jī)廢氣(VOCs)處理變壓吸附分離與凈化技術(shù)
PSA 技術(shù)是利用氣體組分在固體吸附材料上吸附特性的差異 ,通過周期性的壓力變化過程實(shí)現(xiàn)氣體的分離與凈化。 [詳情]
反滲透膜污染堵塞的主要原因是由于膜面沉積和微生物的滋長(zhǎng)而引起的。其中微生物不僅堵塞膜,并對(duì)醋酸纖維素有侵蝕損害作用。 [詳情]
房地產(chǎn)綠色建筑項(xiàng)目環(huán)評(píng)分析及節(jié)能控制措施
項(xiàng)目前期應(yīng)認(rèn)真地進(jìn)行環(huán)境影響評(píng)估工作,保證房地產(chǎn)開發(fā)建設(shè)、城市生態(tài)環(huán)境和社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展三者的協(xié)調(diào)發(fā)展。在本文中,以 XX 項(xiàng)目為例,通過對(duì)建設(shè)和運(yùn)營(yíng)的分析和預(yù)測(cè),提出了相應(yīng)的節(jié)能控制措施。 [詳情]
隨著我國(guó)經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展,我國(guó)大氣環(huán)境生態(tài)逐漸惡化,主要表現(xiàn)為空氣中的二氧化硫和其他污染物呈偏多問題,而現(xiàn)有的濕式除塵脫硫設(shè)備的脫硫率和除塵率較低,本文首先分析了濕法除塵脫硫的基本原理,而后又論述了該除塵脫硫設(shè)備的流程及其凈化效果。 [詳情]
本文主要對(duì)光伏電站的開發(fā)以及建設(shè)的流程進(jìn)行梳理,為企業(yè)進(jìn)行電站的開發(fā)提供了指引和幫助。 [詳情]
簡(jiǎn)單創(chuàng)意帶來突破 光伏光熱攜手占領(lǐng)屋頂
屋頂是光伏與光熱兩個(gè)行業(yè)的競(jìng)技場(chǎng),但是只要一個(gè)小小的創(chuàng)新就能讓它們握手言歡,發(fā)電太陽能熱水器的設(shè)計(jì)思路就是一個(gè)最好的例子:光伏與光熱完全可以攜手,一起“占領(lǐng)”中國(guó)的屋頂。 [詳情]
光纜(opticalfibercable)是為了滿足光學(xué)、機(jī)械或環(huán)境的性能規(guī)范而制造的,它是利用置于包覆護(hù)套中的一根或多根光纖作為傳輸媒質(zhì)并可以單獨(dú)或成組使用的通信線纜組件。 [詳情]
進(jìn)入高考考場(chǎng):最常見的高科技作弊和反作弊工具
也許對(duì)正在經(jīng)歷高考的孩子來說,分?jǐn)?shù)是最重要的。但如果你真的經(jīng)歷了四年大學(xué)的洗禮就會(huì)明白,世界上沒有三流的學(xué)校,只有三流的人生。 [詳情]
超級(jí)恒溫油浴、水浴經(jīng)常在使用中出現(xiàn)各種各樣的問題,所以感到很苦惱,比如溫度設(shè)定和測(cè)溫正常時(shí)但是卻不加熱。 [詳情]
本文回顧了WLAN標(biāo)準(zhǔn)IEEE 802.11的發(fā)展歷程,對(duì)其發(fā)展趨勢(shì)做出了判斷。結(jié)合到WLAN在智能手機(jī)中的具體應(yīng)用對(duì)射頻單元提出的新的要求,恩智浦半導(dǎo)體公司(NXP)將提供新的射頻解決方案,完全滿足WLAN最新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)射頻電路的要求。 [詳情]
物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中采用ZigBee IP的主要考慮因素
用于傳感和控制應(yīng)用的ZigBee標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)面世多年。而由ZigBee聯(lián)盟于2013年發(fā)布的ZigBee IP規(guī)范承諾為無線傳感器網(wǎng)絡(luò)提供無縫的互聯(lián)網(wǎng)連接,特別是智能電網(wǎng)應(yīng)用,將會(huì)得到ZigBee SmartEnergy IP協(xié)議棧的進(jìn)一步支持。 [詳情]
基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性來理解MOSFET的開關(guān)過程
開關(guān)過程中,功率 MOSFET動(dòng)態(tài)的經(jīng)過是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程。在跨越恒流區(qū)時(shí),功率MOSFET 漏極的電流和柵極電壓以跨導(dǎo)為正比例系列,線性增加。米勒平臺(tái)區(qū)對(duì)應(yīng)著最大的負(fù)載電流。可變電阻區(qū)功率 MOSFET 漏極減小到額定的值。 [詳情]