由于4G LTE的出現(xiàn),使得頻段越來越多,頻段越多就會導致智能手機的設計復雜性越來越大;加上頻譜資源是一個非常稀缺的資源,特別是在北美和歐洲地區(qū),頻譜非常擁擠,這樣就一定會增加濾波器的復雜性。[詳情]
耗資15億 我國建世界首個納米真空互聯(lián)綜合實驗站
世界首個集材料生長、器件制備、測試分析為一體的納米領域大科學裝置——納米真空互聯(lián)綜合實驗站正在我國江蘇蘇州工業(yè)園區(qū)建設。[詳情]
3月28日從中科院獲悉,隨著半導體制造技術的不斷進步和電子工業(yè)的不斷發(fā)展,電子設備的散熱問題日益受到關注,越來越多的導熱材料被應用于攜帶型裝置、電子設備和能源領域。[詳情]
中科院光電技術研究所光束控制重點實驗室任戈課題組在相位差技術研究上取得新進展:首次提出了疊層空間調(diào)制相位差技術,通過對成像系統(tǒng)的光瞳平面進行小孔疊層掃描獲得含有相位差異的圖像,然后利用算法從中提取出成像系統(tǒng)的像差并復原圖像。[詳情]
聯(lián)電與新思科技拓展合作 加速14納米制程定制化設計
日前,才宣布14納米制程進入客戶芯片量產(chǎn)階段的晶圓代工廠聯(lián)電,14日再與新思科技(Synopsys)共同宣布,雙方將拓展合作關系,將Synopsys的Custom Compiler和Laker定制化設計工具,應用于聯(lián)電的14納米FinFET制程上,用以縮短定制化的設計工作。[詳情]
見多不怪,現(xiàn)在“黑科技”一詞對于消費者來說其實已經(jīng)不再敏感。而今年AWE展會上,創(chuàng)維展臺眾多新品襲來,AR與OLED的融合讓黑科技又多了一分神秘色彩。[詳情]
為了提高機器學習的效能,Goolge去(2016)年5月在Google I/O上宣布自行打造了機器學習處理器TPU(Tensor Processing Unit);而在美國時間9日的Google Cloud Next云端大會上,Google再宣布,為了云端平臺的安全性,他們自己設計了名為Titan的安全芯片。[詳情]
有消息指去年終于與高通達成合作協(xié)議的魅族將在今年中推出采用高通芯片的Pro7,對于這家手機品牌來說這顯然是一個相當利好的消息,去年其取得了10%的出貨量增長,主要是采用聯(lián)發(fā)科的芯片。[詳情]
印刷行業(yè)死了。這是過去十年里我一次又一次聽到的說法。毫無疑問,互聯(lián)網(wǎng)、智能手機和平板電腦的出現(xiàn)和普及是使印刷行業(yè)出現(xiàn)衰退的主要原因。報紙和雜志已不再是我們獲取新聞最好、最快的方式了。[詳情]
全球移動通信行業(yè)最具影響力的年度展會——世界移動通信大會2月27日在西班牙巴塞羅那開幕。在令人眼花繚亂的新產(chǎn)品襯托中,第五代移動通信技術(5G)支持下“萬物互聯(lián)”的藍圖正愈加清晰地呈現(xiàn)。[詳情]
近日,IBM 從人工智能、智能傳感器、智能望遠鏡、檢測器、醫(yī)學設備的發(fā)展這五個維度,對人類 2022 年的科技與生活做出了五大預測。[詳情]
2017年2月28日,華為今日在2017年巴塞羅那世界移動大會(Mobile World Congress)上發(fā)布NFVI100GE解決方案。該方案基于華為FusionServer E9000融合架構刀片服務器,通過機箱內(nèi)置的100GE高速以太交換板,配合FPGA加速卡、NVMe SSD和華為FusionSphere虛擬化平臺,為運營商NFVI 演進,提供了大帶寬、低時延、高性能的基礎設施平臺。[詳情]
小型基地臺和大型基地臺共同組成的5G分層網(wǎng)絡,是目前業(yè)界發(fā)展5G的一大方向,而無論大小基地臺,為因應5G高頻、高容量特性,RF組件在整合度、系統(tǒng)功耗上的要求,相較4G LTE來得更高,因此組件供貨商如何在這些更嚴格的要求下,保持成本競爭力,將進一步影響到5G商用化的進程。 [詳情]
海思網(wǎng)絡監(jiān)控芯片市場策略為何不同于麒麟芯片?
華為海思成立后,主要是做一些行業(yè)級的芯片,主要配套網(wǎng)絡和視頻應用,雖然產(chǎn)品覆蓋了無限網(wǎng)絡、固定網(wǎng)絡及數(shù)字媒體等領域的芯片及解決方案,但與英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科等全球知名芯片公司相比,長期處于默默無聞的狀態(tài)。[詳情]
Allegro MicroSystems推出全新可編程線性霍爾效應傳感器IC
Allegro MicroSystems, LLC推出全新可編程線性霍爾效應傳感器IC,設計用于需要高精度和高分辨率且不影響帶寬的應用。Allegro公司的A1377傳感器采用分段式線性插值溫度補償技術,這項改進極大地降低了器件在整個溫度范圍內(nèi)的總體誤差。 [詳情]